英飞凌推出下一代碳化硅技术CoolSiC?MOSFETG2推动脱碳的高性
盖世汽车讯 3月5日，英飞凌科技股份公司推出下一代碳化硅(SiC)MOSFET 沟槽技术，开启电力系统和能源转换的新篇章。与上一代产品相比，新型英飞凌CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V第2代将MOSFET的关键性能指标(例如存储能量和电荷)提高了20%，且不影响质量和可靠性水平，从而提高了整体能源效率，并进一步推动脱碳进程。
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